Оперативная память

1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 17
...

1 модуль памяти DDR3 
объем модуля 8 Гб 
форм-фактор SODIMM, 204-контактный 
частота 1333 МГц 
CAS Latency (CL): 9&nbs...

Память SO-DDR3 8gb 1333Mhz QUMO <QUM3S-8G1333C9>  <PC3-10600> CL9 (for NoteBook) 
...

Количество модулей в комплекте 1 шт.
Объем одного модуля 8 ГБ
Тип DDR3L SODIMM 204-pin
Тактовая частота 1600 МГц
Тайминги 11-11-11
Напр...

1 модуль памяти DDR3 
объем модуля 8 Гб 
форм-фактор SODIMM, 204-контактный 
частота 1600 МГц 
CAS Latency (CL): 11&nb...

объем памяти:8 ГБ
тип:DDR3 SODIMM 204-pin
тактовая частота:1600 МГц
тайминги:11-11-11-27
напряжение питания:1.5 В
пропускная способност...

1 модуль памяти DDR3L 
объем модуля 8 Гб 
форм-фактор SODIMM, 204-контактный 
частота 1600 МГц 
CAS Latency (CL): 11&n...

объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
тайминги: 19-19-19-32
напряжение питания: 1.2 В
пропус...

Память SO-DDR4 8Gb 2666MHz Kingston <KVR26S19S8/8>  <PC4-21300>  CL19 (for  NoteBook)
...

объем памяти:8 ГБ
тип:DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота:2666 МГц
тайминги:19-19-19
напряжение питания:1.2 В
пропускная способность:P...

объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 2666 МГц
тайминги: 19-19-19-43
напряжение питания: 1.2 В
пропус...

объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 3200 МГц
тайминги: 20-22-22
напряжение питания: 1.2 В
пропускна...

объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 3200 МГц
тайминги: 22-22-22
напряжение питания: 1.2 В
пропускна...

Объем памяти 8 ГБ
Тип DDR4 SODIMM
Тактовая частота 3200 МГц
Тайминги 22-22-22-32
Напряжение питания 1.2 В
Пропускная способно...

объем памяти:8 ГБ
тип:DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота:3200 МГц
пропускная способность:PC25600...

объем памяти: 8 ГБ
тип: DDR4 SODIMM 260-pin
тактовая частота: 3200 МГц
тайминги: 22-22-22-52
напряжение питания: 1.2 В
пропус...

1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 3000 МГц
радиатор
CAS Latency (CL): 16...

Объем памяти 16 ГБ
Тип DDR4 DIMM 288-pin
Тактовая частота 3000 МГц
Тайминги 15-16-16-35
Напряжение питания 1.35 В
Пропускная ...

1 модуль памяти DDR4
объем модуля 16 ГБ
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 3000 МГц
радиатор
CAS Latency (CL): 15...

количество модулей в комплекте:1 шт.
объем одного модуля:16 ГБ
тип:DDR4 DIMM 288-pin
тактовая частота:3200 МГц
тайминги:16-18-18
напряж...