-
Оперативная память SO-DIMM 4Gb 2666 SAMSUNG for NoteBook1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор SODIMM, 260-контактный
частота 2666 МГц
CAS Latency (CL): 17
... -
Оперативная память 2Gb 800 Samsung DDR2 800 DIMM 2Gb1 модуль памяти DDR2
объем модуля 2 Гб
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 800 МГц
...